UNIÓN PN
En el anterior post relacionado con la electrónica vimos la necesidad de impurificación de los semiconductores para que fueran aptos para su uso en electrónica; vimos también que dependiendo de los materiales empleados se creaban semiconductores de tipo P y semiconductores de tipo N.
¿Qué sucede si unimos un semiconductor de tipo P con uno de tipo N?
Parece fácil pensar que las cargas negativas del tipo N se unirán con las del tipo P "anulándose" unas a otras, pero no es esto lo que sucede.
En el momento en los dos semiconductores se unen, en la superficie de contacto se produce la migración de cargas y huecos de un lado al otro de los cristales; del lado P pasan al lado N cargas de positivas y del lado N pasan a lado P cargas negativas.
En este proceso se produce una recombinación de portadores de carga, pero esta recombinación está supeditada a la desaparición de las dos cargas que se recombinan; lo que se consigue es que en la zona de difusión se pierden cargas de uno u otro signos en función de que el cristal sea P o N. Aparece una zona neutra dieléctrica: la unión PN
La unión PN es neutra desde el punto de vista eléctrico; aunque se trate de una zona en la que solo hay el producto de la recombinación de cargas, en relación con el entorno la capa creada en el cristal P es negativa con respecto a su entorno y la capa creada en el cristal N con realción a su entorno es positiva. Este espacio neutro es lo que se denomina capa de barrera y, por sus características eléctricas impide el paso de más cargas de uno a otro cristal. Ahora las cargas negativas son repelidas por la zona negativa de la capa de barrera que se ha creado en el lado positivo y viceversa.
Comprender la formación y el comportamiento de la capa de barrera facilitaré el estudio de los semiconductores como el diodo, el transistor, los tiristores, etc., que abordaremos en posteriores entregas.
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vicente sánchez -
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